ՀՍՀ/ԷԼԵԿՏՐՈՆԱՅԻՆ ՕՊՏԻԿԱ

ԷԼԵԿՏՐՈՆԱՅԻՆ ՕՊՏԻԿԱ, ֆիզիկայի բաժին, ուսումնասիրում է էլեկտրական, մագնիսական (կամ էլեկտրամագնիսական) դաշտերի հետ փոխազդող լիցքավորված մասնիկների (էլեկտրոններ կամ իոններ) փեշերի կառուցվածքն ու հատկությունները, դրանց ձևավորման, տարածման և կիզակետման պայմաններն ու օրինաչափությունները: Ինչպես և լուսային օպտիկան, Է. օ. բաժանվում է երկրաչափականի և ալիքայինի: Է. օ-ում փունջը ներկայացվում է հետագծերի, այսինքն՝ երկրաչափական կորերի համախմբով, որոնց երկայնքով շարժվում են լիցքավորված կետային մասնիկները: Երկրաչափական Է. օ-ի սահմաններում էլեկտրոնի ալիքային բնույթով պայմանավորված երևույթները կարելի է արհամարհել, քանի որ շարժվող էլեկտրոնին համապատասխանող դը Բրոյլի ալիքի երկարությունը փոքր է (100 վ պոտենցիալների տարբերությամբ արագացված էլեկտրոնի համար 1,23 A): Ինտերֆերենցիայի և դիֆրակցիայի երևույթները, որոնք բնորոշ են շարժվող էլեկտրոնին, ուսումնասիրվում են ալիքային Է. օ-ում: Երկրաչափական Է. օ-ի օրենքները կիրառվում են էլեկտրոնների հետագծերը կառավարող էլեկտրոնային օպտիկական համակարգերի ստեղծման համար: Իրենց կառուցվածքի պարզության շնորհիվ գլխավորապես տարածված են շրջանային սիմետրիայով օժտված էլեկտրոնաօպտիկական տարրերը (Լապլասի հավասարմանը բավարարող առանցքասիմետրիկ համակարգերը): Ավելի քան հարյուր տարի առաջ Ու. Համիլտոնը բացահայտել է լույսի տարածման և ուժային դաշտում մասնիկների շարժման երևույթների նմանությունը: Իրոք, կարելի է ցույց տալ, որ էլեկտրոնի շարժումը պոտենցիալի(х, у, z) բաշխմամբ էլեկտրական դաշտում բավական նման է լուսային ճառագայթի տարածմանը ո բեկման ցուցիչով միջավայրում: պոտենցիալ ունեցող տիրույթից 2 պոտենցիալով տիրույթն անցնելիս էլեկտրոնային ճառագայթը բեկվում Է. էլեկտրոնա օպտիկական բեկման օրենքը (նման է Սնելիուսի օպտիկական բեկման օրենքին): Է. օ-ում, ինչպես և լուսային օպտիկայում, ճիշտ է Ֆերմայի սկզբունքը, ըստ որի, շարժվող լիցքավորված մասնիկների բոլոր հնարավոր հետագծերից իրականացվում են միայն այնպիսիք, որոնց համար երկու կետերի միջև մասնիկի «օպտիկական ճանապարհը» էքստրեմալ է: Մագնիսական դաշտում էլեկտրական լիցքի վրա ազդող ուժը կախված է լիցքավորված մասնիկների արագության մեծությունից և ուղղությունից, ուստի այս դեպքում վերանում է Է. օ-ի և լուսային օպտիկայի նմանությունը: Մագնիսական դաշտը, ի տարբերություն էլեկտրականի, օպտիկապես անիզոտրոպ է: Էլեկտրոնա-օպտիկական սարքերում (էլեկտրոնային մանրադիտակ, էլեկտրոնագրաֆ, մաս-սպեկտրաչափ, ընդունիչ և հաղորդիչ հեռուստատեսային խողովակներ ևն) էլեկտրոնների շարժումը կառավարելու համար կիրառվում են էլեկտրական և մագնիսական ոսպնյակներ (տես Ոսպնյակ էլեկտրոնային, Ոսպնյակ մագնիսական), ինչպես նաև տարբեր կառուցվածքի շեղող համակարգեր, որոնց էլեկտրոնա-օպտիկական հատկությունները հետազոտվում են հաշվարկային կամ փորձնական մեթոդներով: Է. օ-ում դեռևս հաղթահարված չեն աբեռացիաներից զուրկ էլեկտրո-նաօպտիկական համակարգեր ստեղծելու հետ կապված դժվարությունները: Էլեկտրաստատիկ և մագնիսական առանցքասիմետրիկ համակարգերը հիմնականում օժտված են գնդային աբեռացիայով, կոմայով, տարաբեկությամբ, արտապատկերման դաշտի կորությամբ, դիստորսիայով: Փնջի էլեկտրոնների արագությունների տարբերությունն ու անկայունությունը հանգեցնում են գունային աբեռացիայի:

Գրկ. Глазер В., Основы электронной оптики, пер. с нем,, М., 1957 3 инченко Н. С., Курс лекций по электронной оптике, 2 изд., испр. и доп., Харьков, 1961 Кельман В. М., Явор С. Я., Электронная оптика, 3 изд., перераб. и доп., Л., 1968.

Ն. Բադալյան