ՀՍՀ/ԿԻՍԱՀԱՂՈՐԴՉԱՅԻՆ ՍԱՐՔԵՐ

ԿԻՍԱՀԱՂՈՐԴՉԱՅԻՆ ՍԱՐՔԵՐ. ընդարձակ դասի սարքեր, որոնց աշխատանքը հիմնված է կիսահաղորդիչների տարբեր հատկությունների օգտագործման վրա: Էլեկտրավակոն ուլէային սարքերի համեմատությամբ Կ. ս, օժտված են մի շարք առավելություններով, ամփոփ են, ավելի հուսալի, ունեն փոքր զանգված և իներտություն, մեծ ամրություն, ծառայության ավելի երկար ժամկետ, սպառման փոքր հզորություն ևն: Կ, ս. բաժանվում են հետևյալ խմբերի: Անանցումային Կ. ս., որոնց գործողությունը հիմնված է կիսահաղորդչի ամբողջ ծավալում ընթացող ֆիզիկական պրոցեսների վրա: Դրանց շարքն են դասվում այն սարքերը, որոնց դիմադրությունը (հաղորդականությունը) էապես կախված է ջերմաստիճանից (թերմիստորներ), լուսավորվածությունից (կիսահաղորդչային ֆոտոէլեմենտներ), կիրառված էլեկտրական լարումից (վարիստորներ), մեխանիկական ճիգից (թենգոդի-մադրություններ), էլեկտրամագնիսական ճառագայթման էներգիայից (բոլոմետրեր), մագնիսական դաշտի լարվածությունից (մագնիսադիմադրություններ): Անանցումային Կ. ս-ից են նաև Հոլի տվիչները, որոնք գրգռում են մագնիսական դաշտի լարվածությանը համեմատական էլշու: Մի անց ամային Կ. ս., որոնց գործողությունը հիմնված է р—ո անցման (տես Անցումներ) տիրույթում ընթացող ֆիզիկական պրոցեսների վրա: Այդպիսի անցում առաջանում է կիսահաղորդչի տարբեր հաղորդականության (р և ո-տիպի) երկու տիրույթների սահմանում և բնութագրվում է պոտենցիալային արգելքի առկայությամբ, որից կախված է սարքի դիմադրությունը: Միանցումային Կ. ս-ի թվին են պատկանում կիսահաղորդչային դիողները: Երկանցումային Կ. ս., որոնց աշխատանքը հիմնված է p—ո—p կամ п—p—ո կազմագոյացում առաջացնող երկու փոխկապակցված р—ո անցումների տիրույթում ընթացող ֆիզիկական պրոցեսների վրա: Դրանց շարքն են դասվում երկբևեռ (լիցքակիրները էլեկտրոններըևխոռոչներն են) տրանզիստորները, որոնք էլեկտրոնային սխեմաների հիմնական ակտիվ տարրերից են: Եռանցումային Կ. ս., որոնց աշխատանքը հիմնված է р—ո—р—ո կազմագոյացում առաջացնող երեք փոխկապակցված р—ո անցումների տիրույթում ընթացող ֆիզիկական պրոցեսների վրա: Դրանց թվին են պատկանում տիրիսաոր-ները, որոնք իրենց յուրահատուկ (բանա-լիանման) վոլտ-ամպերային բնութագրի շնորհիվ կարող են գտնվել բաց կամ փակ վիճակում: Էլեկտրոդների թվից կախված՝ տիրիստորները բաժանվում են դինիստորների (երկէլեկտրոդ Կ. ս.) և տրինիստորների (եռէլեկտրոդ Կ. ս.): Դաշտային Կ. ս., որոնց գործողությունը հիմնված է կիսահաղորդչի հիմնական լիցքակիրների ստեղծած հոսանքիևարտաքին էլեկտրական դաշտի փոխազդեցության վրա: Դրանց թվին են պատկանում միաբևեռ (լիցքակիրները կամ էլեկտրոններն են, կամ խոռոչները) տրանզիստորները, որոնք բնութագրվում են մուտքի մեծ դիմադրությամբ, սպառման փոքր հզորությամբ, բարձր խանգարումակայունությամբ և մի շարք այլ առավելություններով՝ երկբևեռ տրանզիստորների համեմատությամբ: Ինտեգրալային Կ. ս., որոնքպարունակում են միևնույն կիսահաղորդ չային բյուրեղի վրա միասնական տեխնոլոգիայով մշակված մի քանի տարրեր: Դրանց շարքն են դասվում ինտեգրալայինսխեմաները (ԻԱ) և մեծ ինտեգրալային սխեմաները (ՄԻՍ), որոնք միմյանցիցտարբերվում են տարրերի տեղավորման խտությամբ և, համապատասխանաբար, ֆունկցիոնալ հնարավորություններով (ՄԻՍ-ի կիսահաղորդչային բյուրեղի 1 մմ² վրա կարող է տեղավորվել 1000 և ավելի տարր): Կ. ս. կարելի է դասակարգել նաև ըստ հաճախային հատկությունների, ցրվող հզորության, պատրաստման տեխնոլոգիայի, կառուցվածքի, կիրառության բնագավառի:

Գրկ. Фвдоюв Я. А., Основы физикиполупроводниковых приборов, 2 изд., испр,и доп., М., 1969 Пасынков В. В.,Чиркин Л.К., Шинков А.Д., Полупроводниковые приборы, М., 1973 Микроэлектроника и полупроводниковые при боры, Сб. статей под. ред. Васенкова А. А. и Федотова Я.Ф., М., 1976.

Ա. Բույուկյան