խումը E-ից գծային չէ։ Դ․ թ–յան արժեքն Էապես կախված է նյութի տեսակից և ար–տաքին պայմաններից (ջերմաստիճան, ճնշում ևն)։ Փոփոխական Էլեկտրական դաշտերում Դ․ թ․ կախված է դաշտի հա– ճախակ անությունից։
ԴԻԷԼԵ ԿՏՐԻԿ ԿՈՐՈՒՍՏՆԵՐ, դիէլեկտրիկ միջավայրում փոփոխական էլեկտրական դաշտի էներգիայի՝ ջերմության փոխարկ–վող մասը։ էլեկտրական դաշտի լարվածու–թյան մեծության և ուղղության փոփոխու–թյունից կախված՝ դիէլեկտրիկ բևեռացու–մը ծս փոխում է իր մեծությունն ու ուղղու–թյունը․ փոփոխական հոսանքի մեկ պար–բերության ընթացքում բևեռացումն առա–ջանում է երկու անգամ և երկու անգամ վերանում։ Եթե դիէչեկւորիկում կան ղիւկուային մոմենտ ունեցող բևեռային մոլեկուլներ կամ թույլ կապերով իոններ, որոնց կողմնորոշումը կամ շեղումը պա–հանջում է մեծ ժամանակամիջոց (ռելաք– սացիայի ժամանակամիջոց), ապա առա–վելագույն բևեռացումը ըստ ժամանակի չի համընկնում դաշտի առավելագույն լարվածությանը։ Այսինքն՝ դաշտի լար–վածության և բևեռացման միջև ստեղծ–վում է փուլերի տեղաշարժ, որի հետե– վանքով տեղաշարժ է առաջանում նաև էլեկտրական դաշտի լարվածության և էլեկտրական ինդուկցիայի փուլերի միջև, որը և պայմանավորում է Դ․ կ․։
ԴԻԷԼԵԿՏՐԻԿ ՀԱՍՏԱՏՈՒՆ, դիէւեկարիկ թափան ցե փութ յան հնացած անվանումը։
ԴԻԷԼԵԿՏՐԻԿՆԵՐ (հուն․ 6ւճ –միջով և անգլ․ electric – էլեկտրական), էլեկտրա–կան հոսանքի վատ հաղորդիչներ։ «Դ․» տերմինը սահմանել է Մ․ Ֆարադեյը՝ նշելու համար այն նյութերը, որոնցով թափանցում են էլեկտրական դաշտերը։ էլեկտրական դաշտում տեղադրված ցան–կացած նյութի բաղադրիչ լիցքերի (էլեկ–տրոններ, ատոմային միջուկներ) մի մասը դաշտի ազդեցության տակ ուղղորդ–ված տեղափոխվում է՝ առաջացնելով էլեկտրական հոսանք։ Մնացած լիցքերը վերաբաշխվում են այնպես, որ դրական և բացասական լիցքերի «ծանրության կենտրոնները» շեղվում են միմյանց նկատ–մամբ և առաջացնում նյութի բևեռա–ցում։ էլեկտրահաղորդականության և բևեռացման փոխհարաբերությունից կախ–ված՝ նյութերը բաժանվում են մեկուսիչ–ների՝ Գ–ի, կիսահաղորդիչների և հա–ղորդիչների։ Դ–ի էլեկտրահաղորդակա–նությունը մետաղների համեմատությամբ շատ փոքր է։ Մետաղների տեսակարար դիմադրությունը՝ p-ն, 10՜6–10՜^օհմսմ կարգի է, Դ–ինը՝ 108–1017 օհմսմ։ Պինդ Դ–ի և մետաղների էլեկտրահաղոր–դականության քանակական տարբերու–թյունը քվանտային մեխանիկան բա–ցատրում է՝ պատկերելով պինդ մարմինը որպես հսկա «մոլեկուլ», ուր ամեն մի էլեկտրոն պատկանում է ամբողջ մարմ–նին։ էլեկտրոնների տարբեր վարքը մե–տաղներում և Դ–ում պայմանավորված է ատոմի էներգետիկ մակարդակներում դրանց բաշխման տարբեր բնույթով։ Պինդ մարմնում էլեկտրոնի էներգիան ունի միայն որոշակի թույլատրելի ընդհատ արժեքներ։ էլեկտրոնի թույլատրելի էներ–գետիկ տիրույթները (թույլատրելի գո– տիներ) հերթափոխվում են էլեկտրոնի համար անթույլատրելի էներգետիկ մի– ջակայքերով (արգելված գոտիներ)։ Քա–նի որ էլեկտրոնները ձգտում են զբա–ղեցնել ամենափոքր էներգիաներով մա–կարդակներ, իսկ մի մակարդակում կա–րող է գտնվել միայն մի էլեկտրոն (տես Պաուչիի սկզբունք), ապա էլեկտրոնները զբաղեցնում են զրոյից մինչև որոշակի առավելագույն արժեքով էներգիայի մա–կարդակներ։ Դ–ում էլեկտրոններով զբա–ղեցված վերին էներգետիկ մակարդակը համընկնում է թույլատրելի գոտիներից մեկի վերին սահմանին (նկ․), իսկ մետաղ–ներում այդ մակարդակը գտնվում է թույ–լատրելի գոտում։ Որպեսզի էլեկտրական դաշտի ազդեցության տակ պինդ մարմնում առաջանա էլեկտրական հոսանք՝ էլեկ–տրոնների ուղղորդված շարժում, անհրա–ժեշտ է, որ էլեկտրոնների մի մասի էներ–գիան մեծանա, այսինքն՝ ցածր էներգե–տիկ մակարդակներից էլեկտրոններն անց– նևն բարձր էներգետիկ մակարդակներ։ Մետաղներում այսպիսի անցումներ հնա–րավոր են, քանի որ էլեկտրոններով զբա–ղեցված մակարդակներն անմիջապես սահ–մանակցվում եև ազատ մակարդակների հետ, իսկ Դ–ում մոտակա ազատ մակար–դակները զբաղեցվածներից անջատված են արգելված գոտիով, որը սովորական, ոչ շատ ուժեղ էլեկտրական դաշտերի ազդե–ցությամբ էլեկտրոնները չեն կարող հաղ–թահարել։ Դ–ում էլեկտրական դաշտի ազ–դեցությունը առաջացնում է էլեկտրոնային խտության վերաբաշխում՝ Դ–ի բևեռացում (տես Բևեռացում դիէչեկտրիկների)։ Դ․ և կիսահաղորդիչները սահմանազատել հնարավոր չէ․ Д£<2–3 էվ արգելված գոտի ունեցող նյութերը դասվում են կիսա–հաղորդիչների շարքը, իսկ А8> 2–3 էվ արգելված գոտիով նյութերը՝ Դ–ի շարքը։ Լինում են ոչ միայն պինդ Դ․, այլև՝ հե–ղուկ ու գազային։ Այն ևեղուկները, որոնց էլեկտրական տեսակարար դիմադրությու–նը 1010 օհմ սմ–ից բարձր է, համարվում են Դ․։ Սովորական պայմաններում բոլոր գազերը Դ․ են։ Ջերմաստիճանի բարձրաց– մամբ ատոմները և մոլեկուլները իոնաց–վում են, և գազն աստիճանաբար վերած–վում է պլազմայի, որն էլեկտրական հո–սանքի լավ հաղորդիչ է։ Դ–ում հոսանքակիրները էլեկտրոններն ու իոններն են։ Սովորական պայմաննե–րում Դ–ի էլեկտրոնային հաղորդականու–թյունը իոնայինից փոքր է։ Իոնային հա–ղորդականությունը կարող է պայմանա–վորված լինել ինչպես սեփական, այնպես և խառնուրդային իոնների տեղափոխու–թյամբ։ Բյուրեղներում իոնների տեղա–փոխության հնարավորությունը կախված է բյուրեղների արատներից։ Իդեալական բյուրեղներում իոնային հաղորդականու–թյան պրոցեսը սկզբունքորեն հնարա–վոր չէ։ Ջերմաստիճանի բարձրացումից իոնային հաղորդականությունը խիստ աճում է։ Դ–ի էլեկտրահաղորդականության համար զգալի նշանակություն ունի մակե–րևութային հաղորդականությունը։ Դ–ում էլեկտրական հոսանքը համեմա–տական է էլեկտրական դաշտի լարվածու–թյանը։ Սակայն շատ ուժեղ դաշտերում հոսանքի արժեքն ավելի մեծ է, քան այդ բխում է Օհմի օրենքից։ Որոշակի կրիտի–կական՝ Еб․ լարվածության դաշտով է պայ–մանավորված Դ–ի ծ ա կ ու մ ը՝ հո սան– քային ուղու առաջացումը։ Еб մեծությու–նը կոչվում է Դ–ի էլեկտրական ամրություն (տես աղյուսակը)։ Աղյուսակ․ Մեկուսիչներ ծա–ռայող որոշ պինդ նյութերի տե–սակարար դիմադրությունը (р) և էլեկտրական ամրությունը <Еш մ․) Դիէլեկտրիկ նյութեր Р, օհմ՜սմ Е վ/սմ ամ․, 1 Քվարցային ապակի 1016-Ю18 2-3105 Պոլիէթիլեն 1015-1016 4-105 Փայլար 1014–1016 1– 2106 էլեկտրաճեն– ապակի 1013– 1014 3 1 05 Մարմար 108 –109 2-3105 Պինդ Դ–ում տարբերում են ջերմային և էլեկտրական ծակում։ Իրական Դ–ում եղած անհամասեռությունները նպաստում են ծակմանը, քանի որ ան համասեռ մասում դաշտի լարվածությունը կարող է շատ մեծ լինել։ Տեղուկ Դ–ի էլեկտրական ամ–րությունը զգալի չափով պայմանավոր–ված է նրա մաքրությամբ։ Խառնուրդների առկայությունը էապես փոքրացնում է Еб․։ էլեկտրական ծակումը գազերում ընթա–նում է էլեկտրական պարպման տեսքով։ Որպես էլեկտրամեկուսիչ նյութեր օգ–տագործվում են այն Դ․, որոնք ունեն մեծ տեսակարար դիմադրություն, մեծ էլեկ– տըրական ամրություն և դիէլեկտրիկական կորուստների փոքր անկյուն։ Մեծ դիէ– Լեկարիկ թափանցեչիություն ունեցող Դ․ օգտագործվում են որպես կոնդենսա– տորային նյութեր։ Պիեզոէլեկտրիկները լայն կիրառություն ունեն իբրև ձայ–նային և էլեկտրական տատանումների փոխակերպիչնևր (ուլտրաձայնի ընդու– ևիչ և առաքիչ)։ Պիեզոէլեկտրիկները ծա–ռայում են ինֆրակարմիր ճառագայթների հայտնաբերման և չափման համար (տես Պիեզոէչեկտրականություն)։ Սեգնետո– էչեկտրիկները կիրառվում են ռադիո– Պինդ մարմնում էլեկտրոննե–րի էներգիաների մակարդակ–ները խմբավորվում են ար–գելված գոտիներով բաժան–ված թույլատրելի գոտինե– րում (վալենտական գոտի և հաղորդականության գոտի)
