տալիզմի միջև պայքարը մղվում է «ով՝ում» սկզբունքով, որ լուծվում է հօգուտ սոցիալիզմի։ Սոցիալիզմի հաղթանակը կապիտալիստական արտադրահարաբերությունների, էկոնոմիկայի բազմակացութաձևության վերացումն է և ժողովրդական տնտեսության մեջ սոցիալիստական արտադրահարաբերությունների համապարՓակ տիրապետության հաստատումը, սոցիալիզմին համապատասխան զարգացած արտադրողական ուժերի ստեղծումը նյութական արտադրության բոլոր ճյուղերում։
ԱՆՑՈՒՄԱՅԻՆ ՃԱՌԱԳԱՅԹՈՒՄ, հաստատուն արագությամբ շարժվող լիցքավորված մասնիկի էլեկտրամագնիսական ճառագայթումը՝ երկու միջավայրերի սահմանն անցնելիս։ Ա. ճ. առաջանում է միջավայրի անհամասեռության պատճառով մասնակի էլեկտրամագնիսական դաշտի վերաձևավորման շնորհիվ։ Ա. ճ. տեսականորեն կանխատեսել են Վ. Գինզբուրգը և Ի. Ֆրանկը (1946)։ Հետագայում Ա. ճ–ման տեսությունը հիմնականում զարգացվել է ՀՍՍՀ–ում (Գ. Ղարիբյան, Մ. Տեր–Միքայելյան, Ն. Ղորխմազյան, Ա. Ամատունի և ուրիշներ)։ Հետազոտությունները հետապնդում էին երկու նպատակ՝ 1. բարձր էներգիաների տիրույթում տարրական մասնիկների էներգիայի չափման սարքերի ստեղծում, 2. նյութի օպտիկական հատկությունների ուսումնասիրության: Ետ արձակվող Ա. ճ–ման (վակուում-միջավայր սահմանից) սպեկտրն ընդգրկում է բոլոր հաճախականությունները՝ սկսած ամենաերկար ալիքներից մինչն օպտիկական տիրույթը։ Ցույց է տրված, որ ռելյատիվիստական մասնիկի Ա. ճ. հիմնականում առաքվում է դեպի առաջ՝ փոքր անկյան տակ և ընդգրկում է նաև կոշտ ճառագայթման տիրույթը ( մասնիկի դադարի էներգիան է, իսկ ՝ լրիվ էներգիան)։ Ռելյատիվիստական մասնիկի Ա. ճ–ման լրիվ էներգիան համեմատական է մասնիկի էներգիային՝ ի տարբերություն ետ արձակված ճառագայթման, որտեղ այդ կախումը լոգարիթմական է։ Քանի որ Ա. ճ–ման ինտենսիվությունը շատ փոքր է բաժանման մեկ սահմանի վրա (1/137 ֆոտոն), ապա ուսումնասիրված է նաև այդ ճառագայթման առանձնահատկությունները բազմաշերտ միջավայրերում։ Այս դեպքում տարբեր սահմաններից առաքված ճառագայթներն ինտերֆերենցում են՝ առաջացնելով յուրահատուկ պատկեր։ Որոշ աշխատանքներում այս ճառագայթումն անվանում են «ռեզոնանսային»։ Առաջարկված են Ա. ճ–ման օգնությամբ մետաղների օպտիկական պարամետրերը որոշելու մեթոդներ։ Ա. ճ. ձևավորվում է միջավայրերի բաժանման սահմանին հարակից որոշ միջակայքում, որը կոչվում է Ա. ճ–ման ձևավորմաև գոտի։ Երբ գոտիները շատ մեծ են սահմանի աղավադվածության գծային չափերից, Ա. ճ. համընկնում է միջավայրերի կտրուկ սահմանի դեպքի հետ։ Երբ մասնիկի էներգիան որոշ կրիտիկական արժեքից մեծ է դառնում, ապա Ա. ճ–ման առաջացման վրա սկսում է ազդել մասնիկի բազմակի ցրումը միջավայրում։ Ի դեպ, էներգիայի այդ կրիտիկական արժեքը բավականաչափ մեծ է, օր. կապարի համար էլեկտրոնների Eկ ≈ 400 Մէվ, իսկ պրոտոնների Eկ ≈ 2,7-109 Գէվ։
ԱՆՑՈՒՄԱՅԻՆ ՊՐՈՑԵՍ, մեխանիկական, էլեկտրական, հիդրավլիկ և այլ համակարգում՝ նրա պարամետրերի կամ արտաքինից ներգործող ուժերի փոփոխության հետևանքով մեկ հաստատուն ռեժիմից մյուսին անցնելիս առաջացող երևույթ։ Ա. պ. է առաջանում, օրինակ, երբ գնացքը հանգստի վիճակից սկսում է շարժվել և հասնում է մինչև մի որոշակի արագության, կամ երբ էլեկտրական համակարգում կատարվում է որևէ առանձին մեքենայի (գեներատորի, շարժիչի, տրանսֆորմատորի) անջատում կամ միացում։ Երկու դեպքում էլ համակարգը մեկ հաստատուն ռեժիմից անցնում է մյուսին։ Ա. պ–ները պայմանավորված են համակարգի կամ մեքենայի իներցիայով։ Մեքենաների և զանազան համակարգերի ստեղծման համար կարևոր է, որ ամենահնարավոր Ա. պ–ները նրանցում լինեն կայուն, այսինքն՝ որպեսզի գործող համակարգերը (մեքենաները) գրգռվելուց հետո անցնեն նոր հավասարակշռված, կայուն վիճակի։ Անկայուն Ա. պ. առաջ է բերում համակարգի քայքայում կամ աշխատունակության կորուստ։ Անհրաժեշտ է նաև ապահովել, որ Ա. պ. ընթանա որոշակի ժամանակամիջոցում։ Ա. պ–ներն ուսումնասիրում, նրանց բնույթը որոշում են փորձարարական կամ մաթեմատիկական հաշվարկների մեթոդներով։ Առանձնապես արդյունավետ արդյունքներ են ստացվում թվանշանայիև և անալոգային հաշվողական մեքենաներ և Ա. պ–ների մասնագիտացված անալիզատորներ կիրառելիս։ Դրանց օգնությամբ լուծվում են Ա. պ–ների համապատասխան դիֆերենցիալ հավասարումները կամ վերլուծվում այդ հավասարումևերի պարամետրերի միջև եղած առևչություևները։ Ա. պ–ների ուսումնասիրությունը մեծ դեր է խաղում ավտոմատ կառավարմամբ ժամանակակից մեքենաների, տիեզերական ապարատների և ավտոմատիկայի ու հեռուստամեխանիկայի այլ բարդ համակարգերի ստեղծման գործում։
Գրկ. Ольсон Г., Динамичиские аналогин, М., 1947; Бабаков И. М., Теория колебании, 3 изд., М., 1968.
ԱՆՑՈՒՄԱՅԻՆ ՏԱՐՐԵՐ, տարրերի պարբերական համակարգում իրար հաջորդող քիմիական տարրերի խմբեր, որոնց ատոմներում լրացվում են ներքին էլեկտրոնային թաղանթները։ Տարբերում են 3d, 4d, 5d, 6d, 4f և 5f Ա. տ.։ Տարրերի պարբերական համակարգում 21–30 կարգահամար ունեցող տարրերի (սկանդիումից՝ ցինկ) ատոմներում լրացվում է 3d էլեկտրոնային մակարդակը։ Նրանց ատոմներում 4s մակարդակը զբաղեցված է։ 39–48 կարգահամար ունեցող տարրերի (իտրիումից՝ կադմիում) ատոմներում լրացվում է 4d էլեկտրոնային մակարդակը (5s լրացված է)։ 72–80 կարգահամար ունեցող տարրերի (հաֆնիումից՝ սնդիկ) ատոմներում լրացվում է 5d էլեկտրոնային մակարդակը (6s լրացված է)։ Կուրչատովիումի ատոմում (կարգահամարը՝ 104) սկսվում է 6d էլեկտրոնային մակարդակի զբաղեցումը։ Ա. տ. են նաև լանթանիդները և ակտինիդները, որոնց ատոմներում համապատասխանաբար լրացվում են 4f և 5f մակարդակները (5s, 5p, 6s և, համապատասխանաբար, 6s, 6p, 7s մակարդակները լրացված են)։
ԱՆՑՈՒՄՆԵՐ կիսահաղորդչային սարքերում, կիսահաղորդիչներում ընթացող երևույթներ, որոնց վրա հիմնված է կիսահաղորդչային սարքերի աշխատանքը։ Ա. կարելի է դասակարգել՝ ա. ըստ կիսահաղորդիչների էլեկտրահաղորդականության տիպի՝ էլեկտրոն–խոռոչային (P–n անցում,), խոռոչ–խոռոչային (P+–P– Ա.), էլեկտրոն-էլեկտրոնային (n+–n– Ա.) ևն, բ. ըստ քիմիական կառուցվածքի՝ հոմոգեն Ա. (կամ հոմոանցումներ), երբ անցումն ստեղծվում է մի տիպի կիսահաղորդչի բյուրեղի ներսում, և հետերոգեն Ա. (կամ հետերոանցումներ), երբ անցումն ստեղծվում է երկու տարբեր կիսահաղորդիչների բյարեղայիև ցանցերի հպման տեղում։ Առավել հետաքրքրաթյուն են ներկայացնում տարբեր արգելված գոտիներով կիսահաղորդիչների միջև գոյացող հետերոանցումները։ Ներկայումս Ա. են ստանում ոչ միայն սոսկ կիսահաղորդիչների, այլև կիսահաղորդիչ–մետաղ և կիսահաղորդիչ-դիէլեկտրիկ կոևտակտներում (տես Կոնտակտներ)։ Միևևույև կիսահաղորդչային սարքում միաժամաևակ օգտագործվում են տարբեր տիպի և տարբեր քանակության Ա.։ Այս կամ այն տիպի անցում ստանալու համար մշակված են տեխնոլոգիական տարբեր եղանակներ, որոնցից որևէ մեկի ընտրությունը կախված է այն բաևից, թե ինչ նպատակով (հոսանքի ուղղում, դետեկտում, հաճախության Փոխակերպում, ազդանշանի ուժեղացում են) է օգտագործվում կիսահաղորդչային սարքը։ Հաճախ Ա. անվանում են պատրաստման տեխնոլոգիական եղանակի անունով։ Առավել տարածված է միաձուլման եղանակը (միաձույլ Ա.), երբ որևէ տիպի կիսահաղորդիչ լեգիրվում է հակառակ էլեկտրահաղորդականությաև կիսահաղորդչով։ Ըստ որում, այս դեպքում Ա. կարող են լինել հարթ կամ կետային՝ կախված կոնտակտային մակերևույթների ձևից ու չափից։ Մեծ նշանակություև ուևի Ա–ի ստացումը դիֆուզման (այդ թվում՝ կրկնակի դիֆուզման) եղանակով (դիֆուզիոն Ա.)։ Կիսահաղորդիչը տեղավորում են անցում ստանալու համար անհրաժեշտ խառնուրդների գոլորշիներ պարունակող գազի մթնոլորտում և ջերմության ազդեցության պակ խառնուրդների ատոմները դիֆուզվում են կիսահաղորդչի մեջ։ Աճեցված կամ «ձգված» Ա. ստանալու համար ակցեպտորային կամ դոևորային (տես Կիսահաղորդիչներ) խառնուրդները ներմուծում են կիսահաղորդչի միաբյուրեղն աճեցնելու ժամանակ։ Կոնտակտվող նյութերի միջև անհաղորդիչ (չեզոք) թաղանթ տեղավորելու միջոցով ստանում են մակերևութապատնեշային Ա.։ Կիսահաղորդչային էլեկտրոնիկայի տեխնոլոգիայի կարևոր նվաճումներից է, այսպես կոչված, պլանար–
