սիչ շերտով և մակածված p անցուղով (նկ․ 1, բ), ինչպես նաև մեկուսիչ շերտով և ներկառուցված p անցուղով (նկ․ 1, գ) պլանար կառուցվածքները, որոնք հա մատեղվում են երկբևեռ ինտեգրալային Տ–ների հետ։ Այդ կառուցվածքներում փականը դիէլեկտրիկով (առավելապես Տ10շ–ով) մեկուսացված է անցուղուց, որի պատճառով էլ դրանք կոչվում են նաև մետաղ–օքսիդ–կիսահաղորդիչ (ՄՕԿ) կամ մետաղ–դիէլեկտրիկ–կիսահաղորդիչ (ՄԴԿ) կառուցվածքներ։ Միաբևեռ Տ–ի աշխատանքային բնութագրերը շատ նման են էլեկտրոնային լամպերի բնութագրերին։ Միաբևեռ Տ–ները երկբևեռների համեմատությամբ ավելի քիչ էներգիա են ծախսում, չափերով ավելի փոքր են, արտաքին ազդեցությունների նկատմամբ՝ ավելի կայուն, սակայն վերջիններին զիջում են արագագործությամբ, ուժե- ղացնող հատկությամբ և կառավարման ավելի բարձր լարումներ են պահանջում։ Միաբևեռ կառուցվածքները (ՄՕԿ, ՄԴԿ) լայնորեն կիրառվում են հաշվողական մեքենաների հիշող սարքերի մեծ և գերմեծ ինտեգրալային սխեմաներում։ Երկբևեռ Տ․ (հոսանքի ստեղծմանը մասնակցում են 2 տիպի լիցքակիրներ) բաղկացած է երկու փոխազդող p–ո անցումներից, որոնք ունեն մի ընդհանուր տիրույթ։ Տարբերում են երկբևեռ Տ–նե րի 2 տեսակ՝ (նկ․ 2) p–ռ–p և n–p–ո, որոնց գործողության սկզբունքները նույնն են, սակայն տիրույթների հաղոր– Նկ․ 1․ միաբևեռ տրանզիստորային կառուց վածքները և նրանց պայմանական նշանա կումները․ ա․ կառավարող p–ո անցումով, p․ մեկուսիչ շերտով և մակածված p անցուղով, գ․ մեկուսիչ շերտով և ներկառուցված p անցուղով Նկ․ 2․ հարթ կոնտակտային տրանզիստորի կառուցվածքը և պայմանական նշանակումները․ ա․ p–ո–p տիպի, p, n–p–ո տիպի դականությունները համապատասխանա բար հակադարձ են, որի պատճառով արտաքին սեղմակների լարումները և հոսանքները նույնպես ունեն հակադարձ ուղղություններ։ Ձախակողմյան p (կամո) տիրույթը կատարում է էմիտերի (առաքիչի), աջակողմյան p (կամ ո) տիրույթը՝ կոլեկտորի (հավաքիչի) դեր։ Միջին ո (կամ p) տիրույթը կոչվում է բազա։ էմի–տեր–բազա անցումը կոչվում է էմիտերային, իսկ կոլեկտոր–բազաանցումը՝ կոլեկաորային անցում։ Ենթադրելով, որ բոլոր տիրույթներում ծավալային երևույթները (գեներացում և վերահամակցում) բացակայում են, բազայի շերտի հաստությունը փոքր է լիցքակիրների դիֆուզիոն երկարությունից, իսկ տիրույթների ծավալային դիմադրությունները կարելի է անտեսել, Տ–ի աշխատանքը որակապես կարելի է բնութագրել հետևյալ կերպ, եթե էմիտերային անցումը միացված է ուղիղ (p տիրույթի պոտենցիալը դրական է, ո տիրույթինը՝ բացասական), իսկ կոլեկտորայինը՝ հակառակ (p-ն բացասական է, ո–ը՝ դրական) ուղղությամբ, ապա էմիտերային անցման պոտենցիալ արգելքը նվազում է, և էմիտերի տիրույթի լիցքակիրները հեշտությամբ անցնում են բազայի տիրույթն ու շարժվում դեպի կոլեկտորային տիրույթ (տես Կիսահաղորդչային դիոդ)։ p–ո–p Տ–ում կոլեկտորի լարումը բացասական է, ուստի հեշտությամբ հավաքում է իրեն հասած խոռոչները, իսկ ո–p–ո Տ–ի կոլեկտորի լարումը դրական է և հեշտությամբ հավաքում է իրեն հասած էլեկտրոնները։ Այսպիսով, էմիտերի առաքած լիցքակիրները մտնում են կոլեկտորի շղթա և հոսանք ստեղծում, որի մեծությունը որոշվում է միավոր ժամանակում կոլեկտորին հասած լիցքակիրների քանակով, իսկ վերջինը՝ չափվում է բազայի լարման կամ հոսանքի մեծությամբ։ Բազայով շարժվող լիցքակիրների մի մասն անցնում է բազայի շղթա և ստեղծում բազային հոսանք, ընդորում միշտ պահպանվում է հետևյալ առնչությունը․ Iէ= Iբ+1կ։ Բազայի հոսանքի չնչին փոփոխությունն առաջացնում է էմիտերի առաքած (հետևաբար և կոլեկտորի հավաքած) լիցքակիրների մեծ փոփոխություն, այսինքն՝ կոլեկտորի շղթայում տեղի է ունենում բազայի հոսանքի ուժեղացում, որն արտահայտվում է 1բ/1կ=B առնչությամբ, որտեղ p-ն հոսանքի ուժեղացման գործակիցն է։ Սկզբնական շըրջանում Տ–ները հիմնականում պատրաստում էին ձուլման տեխնոլոգիայով, բազան ստացվում էր համասեռ և մեծ չափերով, լիցքակիրները շարժվում էին դանդաղ (միայն դիֆուզիայով)։ Այդ էր պատճառը, որ ձուլվածքային Տ–ների հաճախականությունը չէր անցնում մի քանի տասնյակ ՄՀՑ։ Այժմ լայնորեն կիրառվում են Տ–ների պատրաստման պլանար և պլանար–էպիտաքսիալ տեխնոլոգիական եղանակները, որոնք հնարավորություն են տալիս նվազագույնի հասցնել բազայի շերտի հաստությունը, ինչպես նաև ստեղծել խառնուրդների անհամասեռությամբ պայմանավորված ներքին էլեկտրական դաշտ, որը նպաստում է բազայում լիցքակիրների արագ տեղափոխությանը։ Այդ երկու գործոններն էլ մեծապես նպաստում են Տ–ի P-ի մեծացմանը և հաճախականության տիրույթի ընդլայնմանը (մինչև գերբարձր հաճախականություն)։ ժամանակակից Տ–ները դասակարգվում են ըստ հզորության (փոքր, միջին, հզոր), ըստ հաճախականության (ցածր, միջին, բարձր, գերբարձր) ևն։ Տ–ի պատրաստման համար հիմնականում կիրառվում էր գերմանիումը։ Պլանար–էպիտաքսիալ տեխնոլոգիայի դեպքում այժմ առավել լայնորեն կիրառվում է սիլիցիումը։ Հեռանկարային է գալիումի արսենիդի կիրառումը։ Գրկ․ Агаханян Т․ М․, Основы транзисторной техники, М․, 1974; Арустамян В․ Е-, Нелинейная модель многопере ходных интегральных структур, «Микроэлек троника», 1976, т․ 5, в․ 4․ Վ․ Առուստամյան
ՏՐԱՆԶԻՍՏՈՐԱՅԻՆ ԳԵՆԵՐԱՏՈՐ, արանզիսաոր պարունակող էլեկտրոնային սարք, որը հաստատուն կամ փոփոխական հոսանքի աղբյուրի էներգիան փոխակերպում է բարձր հաճախականության էլեկտրամագնիսական տատանումների էներգիայի։ Կառուցվածքով և աշխատանքի սկզբունքով չի տարբերվում չամպային գեներատորից, միայն որպես ակտիվ տարր այստեղ էլեկտրոնային չամպի փոխարեն օգտագործվում է տրանզիստոր։ Տ․ գ–ի օ․ գ․ գ–ն ավելի բարձր է, քան լամպային գեներատորինը։ Ա․ Սիմոնյան
ՏՐԱՆԿՈՒ (Դրանխոլյանց) Ռայներ Մարթա Ղազարի (1875, Տրգու Ֆրումոս – 1950, Բուխարեաո), ռումինահայ մանկաբարձ–գինեկոլոգ։ 1899-ին ավարտել է Ցասսիի համալսարանի բժշկ․ ֆակուլտետը, այնուհետև նշանակվել Յասսիի ծննդաբերական կլինիկայի վարիչ։ 1905–16-ին աշխատել է Բուխարեստի հիվանդանոցներում, դասավանդել անատոմիա, սաղմնաբանություն և գինեկոլոգիա։ 1918-ին ուսումնասիրություններն ամփոփել է «Հաշվետվություն պատերազ մական վիրաբուժական գործողությունների վերաբերյալ» աշխատության (ֆրանս․) մեջ։ 1982-ին լույս է տեսել «Օրագրի էջեր, խոստովանություններ» (ռում․) հուշերի հատորը, ուր Տ․ անդրադարձել է ժամանակի ականավոր գործիչների, այդ թվում հայերի կյանքին։ 1934-ին արժանացել է «Մարիա թագուհի» առաջին կարգի շքանշանի։ Եղել է Ռումինիայի բժշկ․ ակադեմիայի իսկական անդամ (1938), ներքին հիվանդությունների բժիշկների ընկերության պատվավոր թղթակից անդամ (1936), կենսբ․ ընկերության պատվավոր անդամ։ Ս․ Քոչանջյան
ՏՐԱՆՍԳՐԵՍԻԱ (< լատ․ transgressio – անցում), ծովի ներխուժումը ցամաք՝ երկրակեղևի մայրցամաքային մասի իջեցման հետևանքով։ Հայտնի է ամբողջ երկրբ․ պատմության ընթացքում։ Տ․ հակադրվում է ռեգրեսիային (ծովի նահանջ)։
ՏՐԱՆՍԴՈՒԿՑԻԱ (< լատ․ transductio – տեղաշարժ), վիրուսի միջոցով գենետիկական նյութի տեղափոխումը մի բջջից մյուսը, հանգեցնում է ընդունող բջջի ժառանգական հատկությունների փոփոխության։ Տ–ի երևույթը հայտնաբերել են ամեր․ գիտնականներ Զ․ Լեդերբերգը և Ն․ Ցինդերը (1952)։ Բակտերիային հատուկ վիրուսները՝ բակտերիաֆազերը, վեգետատիվ բազմացման պրոցեսում ունակ են պատահաբար վերցնելու և այլ բջիջ ներ տեղափոխելու իրենց քայքայած բակտերիաների ԴՆԹ–ի ցանկացած հատվածներ (ընդհանուր կամ ոչ առանձնահատուկ Տ․)։
