են բնորոշ առանձնահատկություններով, որոնք, մասնավորապես, պայմանավոր– ված են հեռավոր կարգի բացակայությամբ: Կ–ի ֆիզիկական հատկությունների կա– ռավարման բազմապիսի մեթոդները հնա– րավորություն են տալիս ստանալ նախա– պես տրված պարամետրերով կիսահա– ղորդչային բյուրեղներ: Այդ է պատճառը, որ Կ. ծանրակշիռ տեղ են գտել ժամանա– կակից էլեկտրոնիկայում (տես Կիսահա– ղորդչային սարքեր): 9^.Cmht P., riojiynpOBOflHHKH, nep. c amvi., M., 1962; EjiexcMOptOra- THCTHKa 9JieKTp0H0B b nojiynpOBOflmncax, nep. c aHrji., M., 1964; K h p e e b II. C., Oh- 3HKa noJiynpoBOflHHKOB, M., 1969. է. Ղազարյան
ԿԻՍԱՀԱՂՈՐԴԻՉՆ ԷՐԻ ԷԼԵԿՏՐԱՀԱՂՈՐ–
ԴԱԿԱՆՈՒԹՅՈՒՆ, տես Կիսահաղորդիչ– ներ:
ԿԻՍԱՀԱՂՈՐԴՉԱՅԻՆ ԴԵՏԵԿՏՈՐ, կի– սահաղորդչային սարք, որը մոդուլված բարձրահաճախային տատանումները փո– խակերպում է ցածր հաճախականության լսելի կամ տեսանելի ազդանշանի: Ըստ մոդուլման եղանակի ամենագործածակա– նը ամպլիտուդային Կ. դ. է, որը բաղկա– ցած է ոչ գծային տարրից և բեռից: Իբրե ոչ գծային տարր կիրառվում է կիսահա– ղորդչային դիոդ կամ տրանզիստոր: Ավելի լայն տարածում ունեն դիոդային Կ. դ–նե– րը, որոնք լավ են աշխատում մուտքի մեծ ազդանշանների դեպքում և համեմատաբար փոքր ոչ գծային աղավաղումներ են առա– ջացնում: Լամպային դետեկտորի համեմա– տությամբ (տես Դետեկտորներ էչեկարա– մագնիսական տատանումների) Կ. դ–ի էական թերությունը հակադարձ դիմադրու– թյան վերջավոր մեծությունն է: Դա ազ– դում է սխեմայի պարամետրերի վրա, սահմանափակում մուտքի ազդանշանի ամպլիտուդի թույլատրելի մեծությունը: Տրանզիստորային Կ. դ–ի առավելությունը աtkAwiiywxitՀյոլւ ու– թյունն է (դեաեկամանը զուգընթաց): Ռ. Ղազար յան
ԿԻՍԱՀԱՂՈՐԴՉԱՅԻՆ ԴԻՈԴ, երկէլեկ– տրոդ կիսահաղորդչային սարք, որի գոր– ծողությունը հիմնված է կիսահաղորդչի տարբեր հաղորդականության (խոռոչա– յին և էլեկտրոնային) երկու տիրույթների սահմանում առաջացող p–ո անցման հատկությունների վրա: Կ. դ. ունի ոչ սիմետրիկ վոլտ–ամպերային բնութագիր, որի հետևանքով մի բևեռայնության դեպ– քում սարքով անցնող հոսանքն անհա– մեմատ ավելի մեծ է, քան հակառակ բևե– ռայնության դեպքում: Կ. դ–ի տարատե– սակներն են ստաբիւիտրոնը, վարի կա– պը, թունեչային դիոդը, ֆոտոդիոդը, լու– սադիոդը. վերջինում օգտագործվում է էլեկտրական հոսանքի ազդեցությամբ որոշ p–ո անցումների լուսարձակման երևույթը: Կ. դ–ների հիմնական առանձ– նահատկություններն են փոքր չափերը, զանգվածը, իներտությունը, սպառման փոքր հզորությունը, լայն սահմաններում պարամետրերի կառավարման հնարավո– րությունը, ծառայության մեծ ժամկետը, որոշ դիողների պարամետրերի ուժեղ ջերմաստիճանային կախումը: Կ. դ. կի– րառվում է փոփոխական հոսանքի ուղըղ– ման, մոդուլված տատանումների դետեկտ– ման, հաճախականությունների փոխա– կերպման, տատանումների ուժեղացման համար, ինչպես նաև ռադիոտեխնիկական և էլեկտրոնային սարքերում՝ իբրև կա– ռավարվող տարր (ռադիոհաճախականու– թյունների բոլոր տիրույթներում):
ԿԻՍԱՀԱՂՈՐԴՉԱՅԻՆ ԼԱՃԵՐ, կիսա– հաղորդչային քվանտային գեներատոր, կիսահաղորդչային բյուրեղով աշխատող լազեր: Կ. լ–ի գոր– ծողությունը հիմնված է բյուրեղի թույ– լատրելի էներգետիկ գոտիների միջև առա– ջացող ճառագայթային քվանտային ան– ցումների վրա: Տես նաև Լազեր:
ԿԻՍԱՀԱՂՈՐԴՉԱՅԻՆ ՆՅՈՒԹԵՐ, էլեկ– տրոնային սարքերի պատրաստման հա– մար կիրառվող կիսահաղորդիչներ: Լի– նում են իոնային և էլեկտրո– նային Կ. ն.: Իոնային Կ. ն–ում հաղոր– դականությունը պայմանավորված է իոն– ներով, և էլեկտրական հոսանքի առկա– յության դեպքում փոխվում են նյութի կազ– մությունն ու կառուցվածքը: Այդ պատ– ճառով իոնային Կ. ն. սարքերի պատրաստ– ման համար պիտանի չեն: էլեկտրոնային Կ. ն–ում հոսանքակիրներն էլեկտրոններն են, ուստի նրանցում էլեկտրական հոսան– քը չի ուղեկցվում նյութի տեղափոխու– թյամբ: Կ. ն. բաժանում են մի քանի հիմ– նական տարատեսակների՝ 1. պարզ Կ. ն., ատոմական պարզ Կ. ն. Մենդելեևի պար– բերական աղյուսակի միայն 12 տարրերն են (տես աղյուսակ), որոնցից մեծ կիրա– խումբ պարբօ–>^! րոլթյոլն II ա IV V VI VII VIII 11 Be B c N o III AI Si P S Cl IV Ca Cie As Se Br V In bn Sb Te J Xe ՝VI PI) Bi Po At ռություն ունեն գերմանիումը (Ge) և սի– լիցիումը (Si): Այս կիսահաղորդիչնե– րում էլեկտրոնների շարժունությունը բա– ո1/շ վական մեծ է (սիլիցիումինը^1400 ՚ ■, Վ՝ՎոԿ գերմանիումինը՝ 3600 –■սՀ •) : Սիլի– Վ * hPM / ցիումից և գերմանիումից պատրաստում են դիողներ, տրանզիստորներ, ինտե– գրալային միկրոսխեմաներ ևն: Մոլեկու– լային ցանցով պարզ Կ. ն–ից մեծ կիրա– ռություն ունեն VI խմբի տարրերը՝ ծծում– բը (Տ), սելենը (Se) և թելուրը (Te), իսկ V խմբից՝ ֆոսֆորը (P) և արսենը (As): Մելենը, որը խոռոչային կիսահաղորդիչ է, սպեկտրալ զգայնությամբ մոտ է մար– դու աչքին և ֆոտոէլեմենտներում գոր– ծածվող հիմնական նյութերից է: 2. Կ. ն. են նաև AXB8~X տեսակի միացություն– ները, որտեղ A-ն X խմբի տարր է, B-ն՝ (8– X) խմբի: Այսպիսի միացություններից A1Bv11 տեսակին են պատկանում AgCl, CuBr, KBr, LiF ևն նյութերը, որոնք դեռևս լայն կիրառություն չունեն: 3. AnBVI տե– սակի միացությունների խմբին են պատ– կանում երկրորդ խմբի մետաղների սուլ– ֆիդները, թելուրիդները, սելենիդները և օքսիդները: Այս Կ. ն. օգտագործվում են զգայուն ֆոտոդիմադրություններ, ֆոտո– էլեմենտներ, տարրական մասնիկների դետեկտորներ և այլ սարքեր պատրաս– տելու համար: 4. AinBv տեսակի միա– ցությունները կիսահաղորդչային ամենա– կարևոր նյութերից են: Մրանք երրորդ խմբի երկրորդ ենթախմբի տարրերի ան– տիմոնիդները, արսենիդները, ֆոսֆիդ– ներն ու նիտրիդներն են: Այս նյութերի բյուրեղային ցանցն ունի տետրաէդրա– կան փուլեր: 5. Կարևոր նշանակություն ունեն նաև AIvB1v (SiC, SiGe), AIvBvI (PbS, PbSe, PbTe), AnBv1 (CuS, CuO, Cu20), AnBVI (CdSb, ZnSb) և այլ միա– ցությունները: 6. Կիրառման մեծ հեռա– նկարներ ունեն ավելի բարդ՝ AxBi8~x B28–x, AixA2xB8_x տեսակի միացու– թյունները և պինդ լուծույթները (GaAsP, InGaSb, ZnCdSeTe): 7. Կիսահաղորդչա– յին էլեկտրոնիկայում լայն կիրառություն ունեն հեղուկ կիսահաղորդիչները: Գրկ. Poflo M., .nojiynpcmoflHHKOBbie Ma- Tepnajibi, nep. c Փբ^աւ;., M., 1971; KpncTa;i- jioxnMHqecKHe, cJ)H3HK0-xnMHqecKHe h Փ^յո– necKne cBOHCTBa nojiynpoBOflHHKOBbix BemecTB, M.t 1973.
ԿԻՍԱՀԱՂՈՐԴՉԱՅԻՆ ՍԱՐՔԵՐ, ընդար– ձակ դասի սարքեր, որոնց աշխատանքը հիմնված է կիսահաղորդիչների տարբեր հատկությունների օգտագործման վրա: էչեկտրավակուումային սարքերի համե– մատությամբ Կ. ս. օժտված են մի շարք առավելություններով, ամփոփ են, ավելի հուսալի, ունեն փոքր զանգված և իներ– տություն, մեծ ամրություն, ծառայության ավելի երկար ժամկետ, սպառման փոքր հզորություն ևն: Կ. ս. բաժանվում են հե– տևյալ խմբերի: Ա ն ա ն ց ու մ ա յ ի ն Կ. ս., որոնց գործողությունը հիմնված է էիսահաղորդ– չի ամբողջ ծավալում ընթացող ֆիզիկա– կան պրոցեսների վրա: Դրանց շարքն են դասվում այն սարքերը, որոնց դիմադրու– թյունը (հաղորդականությունը) էապես կախված է ջերմաստիճանից (թերմիստոր– ներ), լուսավորվածությունից (կիսահա– ղորդչային ֆոտոէփմենտներ), կիրառ– ված էլեկտրական լարումից (վարիստոր– ներ), մեխանիկական ճիգից (թենզոդի– մադրություններ), էլեկտրամագնիսական ճառագայթման էներգիայից (բոչոմետ– րեր), մագնիսական դաշտի լարվածու– թյունից (մագնիսադիմադրություններ): Անանցումային Կ. ս–ից են նաև ^ոլի տվիչ– ները, որոնք գրգռում են մագնիսական դաշտի լարվածությանը համեմատական էլշու: Մ ի ա ն ց ու մ ա յ ի ն Կ. ս., որոնց գործողությունը հիմնված է p–ո անցման (տես Անցումներ) տիրույթում ընթացող ֆիզիկական պրոցեսների վրա: Այդպիսի անցում առաջանում է կիսահաղորդչի տարբեր հաղորդականության (p- և ո– տիպի) երկու տիրույթների սահմանում և բնութագրվում է պոտենցիալային արգել– քի առկայությամբ, որից կախված է սար– քի դիմադրությունը: Միանցումային Կ. ս–ի թվին են պատկանում կիսահաղորդչային դիողները:
