Էջ:Հայկական Սովետական Հանրագիտարան (Soviet Armenian Encyclopedia) 7.djvu/544

մեծության իջնելիս։ Նշված դեպքում խիստ բարձրանում է բջջաթաղանթի իոնային թափանցելիությունը, որը հանգեցնում է թաղանթով այն իոնների հոսքի առաջացմանը, որոնց համար թաղանթը հանգստի վիճակում վատ թափանցելի է։ Մի քանի միլիվայրկյան հետո լրիվ անհետանում է թաղանթի հանգստի պոտենցիալը, և ի հայտ է գալիս հակառակ ուղղված գործողության պոտենցիալ։ Հետագայում տեղի են ունենում թաղանթի բևեռացման լրացուցիչ, բավական երկարատև, սակայն ոչ մեծ ամպլիտուդով փոփոխություններ՝ կապված բջջի վերականգնողական գործունեության և նրա դրդման փոփոխման հետ։ Մ–ի մեթոդների օգնությամբ բացահայտվել են կենտրոնական նյարդային համակարգի ֆունկցիաների մի շարք օրինաչափություններ, որոնք օգտագործվում են նաև կլինիկական բժշկության մեջ։ Տես նաև Էլեկտրաֆիզիոլոգիա։Ռ․ Քիմոնիդե ՄԻԿՐՈԷԼԵԿՏՐՈՆԻԿԱ, էլեկտրոնիկայի ճյուղ, որն զբաղվում է տրված հուսալիությամբ, շահագործական, գաբարիտային, էներգետիկ և արժեքային բնութագրերով, տարրային (տեխնոլոգիական) և ֆունկցիոնալ (ֆիզիկական) ինտեգրացման մեթոդներով ռադիոէլեկտրոնային բարդ սարքավորման ստեղծման պրոբլեմներով։ Մ–ի առաջացումը XX դ․ 60-ական թթ․ սկզբին պայմանավորված է եղել էլեկտրոնային սարքավորման ֆունկցիաների անընդհատ բարդացումով, չափերի մեծացումով և հուսալիությանը ներկայացվող պահանջների աճով։ Երևան եկան էլեկտրոնային սարքավորման ստեղծման կոնստրուկտիվ–տեխնոլոգիական նոր ուղղություններ՝ դրոշմամոնտաժ, միկրոմոդուլներ, ապա և ինտեգրալային սխեմաներ (պատրաստման խմբային մեթոդների հիման վրա)։ Օգտագործելով պինդ մարմնի և, մասնավորապես, կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի նվաճումները՝ Մ․ վերոհիշյալ պրոբլեմները լուծում է ոչ թե սոսկ էլեկտրոնային տարրերի չափերի փոքրացման ճանապարհով, այլ ստեղծելով կոնստրուկտիվորեն, տեխնոլոգիապես և էլեկտրականորեն կապակցված էլեկտրոնային կառուցվածքներ՝ ֆունկցիոնալ բլոկներ ու հանգույցներ։ Դրանցում, ըստ սկզբունքային սխեմայի, կոնստրուկտիվորեն միավորված են միասնական տեխնոլոգիական պրոցեսով պատրաստված մեծ թվով մանրածավալ տարրեր՝ իրենց էլեկտրական միացումներով։ Այդպիսի պրոցեսը, որ հնարավոր դարձավ կիսահաղորդչային սարքերի ստացման պլանարային պրոցեսի (1959) շնորհիվ, ենթադրում է նույնանման պայմաններում տեխնոլոգիական գործողությունների հաջորդական շարքով միաժամանակ անցած մեծ թվով (մինչև մի քանի հազար) միատեսակ էլեկտրական ֆունկցիոնալ հանգույցների համար նախատեսված սկզբնական ընդհանուր նախապատրաստվածքի (սովորաբար կիսահաղորդչային թիթեղի ձևով) կիրառում (նկ․ 1)։ Մշակման պրոցեսում կիսահաղորդչային նյութի առանձին հատվածներին հաղորդվում են տվյալ հանգույցը կազմող տարբեր տարրերի ու դրանց միացումների հատկությունները։ Ստացված մանրածավալ հանգույցը, որ առանձնացվում է թիթեղից և տեղավորվում պատյանի մեջ, կոչվում է ինտեգրալային միկրոսխեմա կամ ինտեգրալային սխեմա (ԻՍ)։ Այսպիսով, Մ–ում տարր հասկացությունը փոխարինվում է ԻՍ–ով, որը կարող է բաղկացած լինել 5 և ավելի տարրերից։ ԻՍ բնութագրվում է ինտեգրացման մակարդակով և աստիճանով, որոնցից առաջինը որոշվում է ԻՍ կազմող պարզագույն տարրերի թվով, իսկ երկրորդը՝ այդ թվի կարգով (այսպես, 1-ին աստիճան՝ մինչև 10 տարր, 2-րդ աստիճան՝ 10-ից մինչև 100 տարր ևն)։ Այն ԻՍ, որում տարրերի թիվը 100-ից ավելի է, կոչվում է մեծ ԻՍ։
ԻՍ–երի արտադրության մեջ լայն տարածում է ստացել պլանարային–էպիտաքսիալ տեխնոլոգիան, որի հիման վրա պատրաստվում են ինտեգրացման ամենաբարձր մակարդակն ունեցող կիսահաղորդչային ԻՍ–եր․ դրանք ունեն նաև այն առանձնահատկությունը, որ բոլոր ակտիվ և պասսիվ տարրերն ամփոփված են կիսահաղորդչային բյուրեղի ծավալում։ ԻՍ–ի մեկ այլ տարատեսակը թաղանթային ԻՍ է, որը պատրաստվում է թաղանթային տեխնոլոգիայի հիման վրա (հաղորդիչ և դիէլեկտրիկ թաղանթները շերտածածկում են նույն մեկուսիչ տակդիրը)։ Եթե թաղանթի հաստությունը 1 մկմ–ից պակաս է, ԻՍ կոչվում է բարակաթաղանթ, իսկ եթե 1 մկմ–ից ավելի է՝ հաստաթաղանթ։ Թաղանթային ԻՍ և դրա վրա մոնտաժված անպատյան կիսահաղորդչային սարքերը միասին կոչվում են հիբրիդային ԻՍ (նկ․ 2)։
Գոյություն ունեն նաև համատեղված ԻՍ–եր, որոնք պատրաստվում են կիսահաղորդչային և թաղանթային տեխնոլոգիայի եղանակներով։ Ներկայումս առավել լայնորեն օգտագործվում են կիսահաղորդչային և հիբրիդային ԻՍ–երը։ ԻՍ–ի բոլոր տեսակներն ըստ ֆունկցիոնալ հատկանիշի բաժանվում են 2 մեծ դասի՝ թվանշանային (տրամաբանական) և գծային։ Թվանշանային ԻՄ կիրառվում է տրամաբանական սարքերում, մասնավորապես, էլեկտրոնային հաշվողական մեքենաներում։
ԻՍ–ի մյուս բոլոր տեսակները, որոնք նախատեսված են հիմնականում էլեկտրական ազդանշանների գծային փոխակերպման համար, պատկանում են գծային ԻՍ–երի դասին։
Մ–ի զարգացումն ընթանում է գլխավորապես երկու ուղղությամբ՝ 1․ ԻՍ–ում ինտեգրացման մակարդակի և տեղավորման խտության մեծացում, 2․ ֆիզիկական նոր սկզբունքների ու երևույթների որոնում՝ սխեմատեխնիկական և համակարգատեխնիկական ֆունկցիոնալ նշանակությամբ էլեկտրոնային սարքավորման ստեղծման համար։ Առաջին ուղղությունը հնարավորություն կտա ստանալ ԻՍ–ի մեկ բյուրեղում հարյուր հազարավոր տարրերով (ենթամիկրոնային չափերի) բնութագրվող ինտեգրացման մակարդակ։ Երկրորդ ուղղությունը թույլ կտա հրաժարվել ԻՍ–ի ինտեգրացման մակարդակի հետագա բարձրացումից (կոնստրուկտիվ բարդությունների պատճառով), պակասեցնել ցրվող հզորությունն ու արժեքը, մեծացնել սարքավորման արագագործությունը ևն։ Վերջին ուղղությունն ընդհանուր առմամբ ստացել է ֆունկցիոնալ միկրոէլեկտրոնիկա անվանումը, այսինքն՝ համակցված միջավայրերի էլեկտրոնիկա՝ այնպիսի երևույթների օգտագործումով, ինչպիսիք են օպտիկական երևույթները պինդ մարմնում (օպտոէլեկտրոնիկա), էլեկտրոնային հոսքի և ձայնային ալիքների փոխազդեցությունը պինդ մարմնում (ակուստոէլեկտրոնիկա), ինչպես նաև գերհաղորդիչների, սեգնետոէլեկտրիկների հատկությունների օգտագործումով։
ԻՍ–երի մշակման ու արտադրության համար անհրաժեշտ են արտադրական հատուկ շենքեր (օրինակ, վակուումային հիգիենայի պահանջների համաձայն, 1 լ օդում 0,5 մկմ չափերի մի քանի փոշեհատիկից ավելի չպետք է լինի), բարդ ու բազմատեսակ սարքավորում, արտադրության բարձր մակարդակ։ Այս բոլոր գործոնների ապահովումը պայմանավորեց Մ–ի սկզբնավորումը (60-ական թթ․ 2-րդ կես) և արագ զարգացումը ՀՍՍՀ–ում։ Հանրապետությունում թողարկվում են թաղանթային, հիբրիդային և կիսահաղորդչային ԻՍ–եր, ինչպես նաև դրանց արտադրության համար օգտագործվող ստուգիչ–հսկիչ սարքավորման որոշ տեսակներ (նկ․ 3)։
Երևանում գործում է միկրոէլեկտրոնիկայի գիտահետազոտական ինստ.՝ իր փորձնական գործարանով։
Գրկ․ Интегральные схемы, дер․ с англ․, М․, 1970; Ефимов И․ Е․, Козырь И․ Я., Основы микроэлектроники, М., 1975; Проектирование микроэлектронных цифровых устройств, под ред․ С. А․ Майерова, М․, 1977․ Օ․ Խաչանով