ձեռնարկությունը (նախկին ԵՄՄԳՀԻ-ի տեխնոլոգ․ բաժինը) միավորվել են «Տրանզիստոր» ԳԱՄ-ում։
1960-ական թթ-ին Է. Միրզաբեկյանի գլխավորությամբ կատարվել են գերզգայուն ուժեղացուցիչների մշակման քվանտային կիսահաղորդչային էլեկտրոնիկայի տարրերի մշակման աշխատանքներ։ 1964-ին Աբովյան քաղաքում բացվել են ռադիոտարրերի, մասնավորապես՝ վարիստորների, գործարանները, 1965-ին՝ միկրոէլեկտրոնիկայի «Պոզիստոր» միավորումը՝ «Սիրիուս» գործարանով՝ դիոդներ և հիբրիդային ինտեգրալ սխեմաներ արտադրելու համար։
1966-ին Երևանում հիմնադրվել է Միկրոէլեկտրոնիկայի տեխնոլոգիական ԳՀԻ-ն (1981-ից՝ «Անի» ԳԱՄ), որի կազմում ներառված էին «Գառնի», «Արաքս», «Լալվար», հետագայում նաև Աբովյանի միկրոէլեկտրոնիկայի գործարանները։ «Անի» ԳԱՄ-ում մշակվել են միկրոէլեկտրոնային սխեմաներ։ Այն ԽՍՀՄ առաջատարն էր՝ ինտեգրալ տեխնիկայի արտադրության, ավտոմատացված չափիչ սարքերի, նաև ճկուն մագնիս․ սկավառակներով հիշողության սարքերի մշակման, միկրոսխեմաների լազերային արատանշման ոլորտներում։
1973-74-ին «Գառնի»-ում մշակվել են երկրամերձ ուղեծիր դուրսբերման և արտամթնոլորտային հետազոտությունների համար նախատեսված «Օրիոն-1» և «Օրիոն-2» կայանների էլեկտրոնային սարքավորումները (Գ. Գուրզադյան և ուրիշներ)։
Երևանի կապի միջոցների ԳՀԻ-ում՝ (հիմն.՝ 1978, Մոսկվայի Ռադիոկապի ԳՀԻ-ի մասնաճյուղը) մշակվել և արտադրվել են բարակ թաղանթային (նրբաշերտ) տեխնոլոգիայով (նվազագույն չափը՝ 1 մկմ) բարձրորակ արտադրանք, այդ թվում՝ պատվիրված հիբրիդային ինտեգրալ միկրոսխեմաներ։
1983-ին Բյուրականի աստղադիտարանի աշխատակիցների մասնակցությամբ կառուցվել և Տիեզերք է արձակվել «Աստրոն» աստղաֆիզիկական արբանյակը, [ղեկ.՝ Յու. Խոջոյան, ԽՍՀՄ Պետական մրցանակ (հեղինակային խումբ) և ՀԼԿԵՄ մրց․ (երիտասարդ մասնագետներ)՝ 1984]։ 1983-ին Միկրոէլեկտրոնիկայի ԳՀ տեխնոլոգիական, ինստիտուտում (ղեկ.՝ Լ. Աբրահամյան, ՀԼԿԵՄ մրցանակ, 1984) մշակվել և ներդրվել է վերահսկիչ-չափիչ սարքերի «Գամմա» ընտանիքը։
1984-ից երկրում էլեկտրոնային արդյունաբերության զարգացումն ընթացել է քվանտային գեներատորների (Մ. Տեր-Միքայելյան և ուրիշներ), լուսաընդունիչների և լուսափոխակերպիչների (Վ․ Հարությունյան և ուր.), ինտեգրալ սխեմաների (ԻՍ) և միկրոհավաքածուների (Մ. Մկրտչյան և ուր.) մշակման ուղղություններով։ Ստեղծվել են էլեկտրոնային սարքերի տարրերի լազերային մշակման տեխնոլոգիայի գիտական հիմքերը (Լ. Գասպարյան և ուր., ԽՍՀՄ Պետական մրցանակ, 1986)։
1970-90-ին Հայաստանում գործել են նաև ԽՍՀՄ ռազմարդ. համալիրի համար էլեկտրոնային և միկրոէլեկտրոնային սարքեր մշակող և արտադրող «Ագաթ» ԳՀԻ-ն, «Բազալտ» գործարանը, «Հայավիահամալիր» ԳԱՄ-ը, «Հրազդանմաշ» ԳԱՄ-ը և այլ ձեռնարկություններ։
ԵՊՀ կիսահաղորդիչների ֆիզիկայի և միկրոէլեկտրոնիկայի ամբիոնում (Վ. Հարությունյան) ու նրան կից կիսահաղորդչային սարքերի ու նանոտեխնոլոգիաների կենտրոնում (գործադիր տնօրեն՝ Վ. Առաքելյան) վերջին 2 տասնամյակում աշխատանքներ են կատարվում Արեգակի էներգիայի լուսավոլտային, լուսաէլեկտրաքիմիական և ջերմալուսավոլտային բարձր արդյունավետ փոխակերպիչների մշակման ուղղությամբ։ Լուսավոլտային փոխակերպիչների համար առաջարկվել են նոր տիպի հակաանդրադարձնող կառուցվածքներ, որոնք զգալիորեն փոքրացնում են անդրադարձումը փոխակերպիչների մակերևույթից և մեծացնում փոխակերպման օգգ-ն։ Մետաղօքսիդային կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքների հիման վրա մշակվել և ստեղծվել են պայթյունավտանգ, թունավոր, հրավտանգ գազերի հայտնաբերման բարձր զգայուն և սպառման փոքր հզորության տվիչներ և էլեկտրոնային «քիթ»։ Միջավայրում ծխի ու ջրածնի հայտնաբերման համար ԵՊՀ-ում ստեղծված տվիչները փոքր քանակներով ներդրվել են ՀՀ արդյունաբերության մեջ (Վ. Հարությունյան, Վ. Առաքելյան, Զ. Արամյան, Խ. Մարտիրոսյան և Գ. Շահնազարյան, ՀՀ նախագահի մրցանակ, 2006)։
Ամբիոնում և կենտրոնում կարևոր հետազոտություններ են կատարվում կիսահաղորդիչ-հեղուկ բյուրեղ սահմանում դիտվող երևույթների հետազոտման և դրանց հիման վրա օպտիկ․ սարքերի ստեղծման ուղղությամբ (Հ. Մարգարյան և ուր.)։ Աճեցվել են քվանտային կետեր և ելուստներ
